SK Hynix планує почати випуск 20- нанометровій пам’яті типу DRAM в цьому році


 
Південнокорейська компанія SK Hynix розраховує почати серійний випуск 20- нанометровій пам’яті типу DRAM в другому півріччі. Як стверджує джерело , про це сьогодні повідомив керівник компанії.
За його словами, що прозвучали після зустрічі з інвесторами, мова може йти про самому початку третього кварталу.
Перехід до 20- нанометровій технології дозволяє збільшити обсяги виробництва пам’яті. У разі 300- міліметрових пластин приріст при переході від використовуваної зараз 25 – нанометровій технології становить 30%. А якщо порівнювати з освоєної раніше 29- нанометровій технології , то і всі 50 %.
Компанія Samsung Electronics , яка є основним конкурентом SK Hynix на ринку DRAM , почала випуск цієї продукції по 20 – нанометровій технології на початку минулого року . Спочатку був освоєний випуск 20 – нанометровій пам’яті DRAM для персональних комп’ютерів, а пізніше – для мобільних пристроїв і серверів.
Джерело: CDR Info
CDR Info

Оставить комментарий

Ваш email не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *

Вы можете использовать это HTMLтеги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>